一、2025-2026存储超级周期确认：DRAM均价明年涨58%，AI需求成核心驱动力

       【行业动态】2025年12月，存储行业“超级周期”信号持续强化，多家机构与产业巨头数据印证行业上行趋势。摩根士丹利研报指

出，AI驱动下存储行业供需失衡加剧，将开启持续数年的“超级周期”，到2027年全球存储市场规模有望向3000亿美元迈进。TrendForce更明确预测，2026年DRAM需求将同比增长26%，而供应仅增长20%，供需缺口将推动DRAM平均单价同比上涨58%，NAND短缺局面也将在30天内进一步加剧。

           本轮涨价周期始于2024年，核心驱动力来自AI需求的爆发式增长与行业产能结构调整的双重叠加。一方面，AI服务器对DDR5、HBM（高带宽内存）等高性能存储芯片的需求激增，单AI服务器DRAM搭载量达普通服务器的8倍，HBM产能的集中投放进一步挤占了通用内存产能；另一方面，全球存储三巨头三星、SK海力士、美光在经历上一轮下行周期后，扩产态度谨慎，三星明确表示不会快速扩建生产设施，SK海力士聚焦10纳米级第六代1c DRAM产能转换，美光则宣布2026年3月起退出消费级业务，全力押注数据中心，进一步加剧了供需紧张格局。

        市场反馈已充分显现，价格上涨态势显著。瑞银预计，2025年第四季度DDR合约定价季增35%、NAND价格上涨20%，2026年第一季度DDR合约价将再涨30%，NAND价格续涨20%。产业端盈利表现亮眼，美光2026财年第一财季调整后营收达136.4亿美元，同比增长57%，经调整净利润54.82亿美元，同比增长58%；三星、SK海力士2025年第三季度营业利润同比分别增长32.2%、62%。国内产业链同样受益，今年下半年以来，香农芯创、东芯股份、江波龙等企业股价涨幅显著，江波龙第三季度归母净利润同比大幅增长1994.42%，长鑫存储IPO进程也加速推进。

        对于周期持续时长，行业共识认为至少将延续至2026年底。深圳某存储行业上市公司高管分析，头部厂商扩产谨慎既源于上一轮周期亏损的顾虑，也担心AI需求不及预期的风险，而消费端价格上涨带来的需求抑制可能成为短期调节因素，但整体上行趋势不改。

     【行业洞察】当前存储行业正处于技术迭代与需求升级的关键交汇点，AI驱动的高性能存储需求与国产替代进程形成共振，国内存储企业有望在中端市场填补供给缺口，同时借助产业链协同加速技术突破，把握超级周期带来的发展机遇。

来源：摩根士丹利研报、TrendForce、证券时报（2025.12）

二、阿里云大规模部署长江存储QLC SSD，国产存储实现成本与性能双突破

      【应用落地】近日，阿里云与长江存储联合宣布，阿里云已大规模部署长江存储晶栈®4.0 QLC SSD产品，用于冷数据归档等核心场景，通过软硬件协同优化，实现存储总成本（TCO）降低40%，读写性能完全满足AI推理数据调用需求，标志着国产QLC存储芯片在高端数据中心场景的应用落地取得重大突破。

       长江存储晶栈®4.0 QLC SSD是国内首款通过阿里云认证的大容量QLC存储产品，采用先进的3D NAND技术，单Die容量达2Tb，单盘最高容量可达100TB，写入寿命提升至10000次，相较于传统TLC SSD成本降低30%。此次合作中，阿里云基于白盒化驱动设计思路，与长江存储开展深度定制合作，通过自研固件优化实现高并发写操作的保序性，解决了QLC SSD在寿命与稳定性上的行业痛点，使其性能达到国际同类产品的95%。

       随着AI数据中心对大容量、低成本存储需求的激增，QLC SSD凭借更高的存储密度和成本优势，成为冷数据存储、备份归档等场景的优选方案。长江存储这款产品的大规模应用，不仅验证了国产存储芯片的技术成熟度，也体现了国内存储产业链协同创新的成果。据行业调研数据显示，长江存储在国内手机供应链的市占率已从10%提升至25%，此次切入阿里云供应链，进一步拓展了国产存储的高端应用场景。

        阿里云相关技术负责人表示，与长江存储的合作是国产化存储生态建设的重要举措，通过全链路可控的定制化合作，既实现了成本优化，也提升了供应链安全性。未来双方将持续深化在PCIe 5.0 ZNS QLC等前沿技术领域的研发合作，推动存储技术与AI、云计算场景的深度融合。

       长江存储方面透露，依托晶栈®4.0技术平台，公司正持续推进产品迭代，后续将推出更高性能的企业级存储产品，覆盖更多数据中心应用场景，助力国内数字基础设施建设的自主可控。

       【行业价值】国产存储企业与头部云厂商的深度绑定，不仅为国产芯片提供了规模化应用场景，更通过实际应用反馈推动技术迭代，加速国产存储产业链的成熟。在全球存储供应链重构的背景下，这种“应用牵引+技术攻关”的模式将成为国产存储实现弯道超车的关键路径。

来源：阿里云与长江存储联合发布会、CFM闪存市场报告、阿里云开发者社区（2025.12）

三、政策红利加码！大基金三期注资超200亿，存储设备材料国产替代提速

    【政策解读】2025年11月，国家集成电路产业投资基金三期（简称“大基金三期”）宣布向长江存储、长鑫存储等国内头部存储企业注资超200亿元，重点支持HBM、3D NAND等高端存储芯片研发及产业化项目，同时加大对存储设备、材料等上游环节的扶持力度，推动存储产业链国产替代进程加速。

       此次注资是大基金三期聚焦半导体核心领域的重要举措，针对性解决存储产业“卡脖子”问题。随着AI、智能汽车等新兴领域对存储芯片需求的持续升级，国内存储产业面临高端技术突破与产业链自主可控的双重任务。数据显示，2024年中国芯片自给率已从2023年的约20%提升至35%，其中长江存储的靶材国产化率从三成升至五成以上，长鑫存储的靶材国产化率也从二成五提升至五成左右，上游材料环节的替代成果显著。

       在设备领域，刻蚀机、光刻胶等关键设备材料的国产化率已提升至30%-40%，国内企业江化微等通过“一站式供货”模式，为长江存储提供电子特气与配套设备，不仅帮助下游企业降低15%的采购成本，自身也获得稳定订单，2025年营收同比增长48%，充分体现了国产替代的产业红利。此外，存储封测环节也取得突破，HBM封装依赖的2.5D/CoWoS技术中，长电科技、通富微电的良率已突破99.5%，为高端存储芯片的量产提供了保障；存储主控国产化加速，江波龙自主研发的主控芯片累计部署突破1亿颗，覆盖UFS、eMMC、车规USB等多个场景。

        半导体行业协会相关负责人表示，国家集成电路专项规划的持续加码，将进一步引导社会资本向存储产业链聚集，推动“设计-制造-封装-设备-材料”全链条协同发展。未来，政策将重点支持存储与AI、物联网等场景的融合创新，鼓励企业开展国际技术合作与本土供应链整合，提升国内存储产业的全球竞争力。

      【企业启示】政策红利的持续释放为国内存储企业提供了良好的发展环境，企业应把握机遇，加大研发投入，深化产业链协同，在高端技术突破与中端市场替代中双向发力，提升核心竞争力。

来源：半导体行业协会、行业调研数据（2025.11-12）